等離子增強原子層沉積系統(tǒng)中采用AII微量氧分析儀和深特露點儀
一、設(shè)備概述：
等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)；該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。
二、產(chǎn)品優(yōu)勢：
先進(jìn)的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體；
等離子增強原子層沉積系統(tǒng)中采用AII微量氧分析儀和深特露點儀
三、技術(shù)指標(biāo)：
基片尺寸 8英寸及以下
基片加熱溫度 室溫～500℃，控制精度±0.1℃
前驅(qū)體輸運系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可選配
前驅(qū)體管路溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
源瓶加熱溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
ALD閥 Swagelok快速高溫ALD專用閥
本底真空 ＜5*10-5Torr，進(jìn)口防腐泵
載氣系統(tǒng) N2或者Ar
生長模式 高速沉積模式和停留生長模式
等離子體源 300W 感應(yīng)耦合遠(yuǎn)程等離子體
等離子體放電氣源 標(biāo)準(zhǔn)3路，可選配
控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器
電源 50-60Hz, 220V/20A交流電源
沉積非均勻性 非均勻性＜±1%
設(shè)備尺寸 1000mm x 750mm x 1600mm
微量氧分析儀采用
四、可沉積薄膜種類：
單 質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…
等離子增強原子層沉積系統(tǒng)中采用AII微量氧分析儀和深特露點儀
五、應(yīng)用實例：
高K柵氧化層，存儲容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學(xué)薄膜，其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜等離子增強原子層沉積系統(tǒng)中采用AII微量氧分析儀和深特露點儀
更多等離子增強原子層沉積系統(tǒng)中采用AII微量氧分析儀和深特露點儀信息請致電埃登威021-55581219
